突破中红外传输技术瓶颈:真空空芯光子晶体光纤实现100飞秒脉冲高效传输
中红外光基于其独特的光谱特性,在先进光谱学、材料加工、生物医学诊断及遥感等领域具有不可替代的应用潜力。然而,长期以来,中红外光的高质量传输受限于材料吸收、非线性效应及系统复杂性等多重技术瓶颈。近日,中国科研团队在《Optica》期刊发表的最新研究中,通过真空空芯光子晶体光纤实现了中红外波段100飞秒脉冲的灵活高效传输,为解决这一技术难题提供了突破性方案。

中红外传输的技术困境与突破路径
传统中红外光传输方式存在显著局限性:自由空间传输中,空气中的分子吸收线会导致功率损耗及光束时间、空间轮廓的退化;实芯光纤则因高峰值功率引发非线性效应,造成脉冲信号的严重光谱与时间畸变。尽管空芯光子晶体光纤(PCF)此前已被探索用于中红外传输,但制造难度及传输性能始终难以兼顾。
研究团队创新性地采用二氧化硅玻璃制备空芯光子晶体光纤,通过堆叠拉伸技术构建了独特的波导结构:光纤由直径约103μm的空芯及周围环绕的8根毛细管组成,毛细管内径约40μm,壁厚约805nm。这种设计既继承了空芯结构低非线性的优势,又借助二氧化硅材料提升了光纤的机械强度与化学稳定性,有效解决了传统中红外玻璃光纤的制造难题。
核心性能:低损耗与高保真传输特性
实验结果表明,该光纤在2.8μm波长处的损耗低至0.062dB/m,在2.5-3.5μm波段内损耗均小于0.08dB/m;即使在2-4μm全测量范围,损耗也能控制在0.16dB/m以下,为长距离传输奠定了基础。
更为关键的是,通过将光纤抽真空至10mbar,成功消除了水吸收波段的分子吸收干扰。在传输瓦级功率(1.1W输入)时,传输效率保持在70.7%以上,输出功率达779.8mW,且光束轮廓接近衍射极限的高斯分布,空间保真度显著优于传统传输方式。
创新技术:色散补偿与系统稳定性优化
为解决超短脉冲传输中的时间展宽问题,研究团队开发了精准的色散补偿方案。利用锗(Ge)、硒化锌(ZnSe)和氟化钙(CaF₂)窗口的材料色散特性,有效补偿了光纤的群速度色散(2.8μm处为-2.0fs²/mm)。经补偿后,100飞秒量级的脉冲在5米传输后仍能保持接近原始宽度的时间特性,时间带宽积低至0.54,证实了其出色的时间保真度。
系统稳定性测试进一步验证了该技术的实用价值:1小时内功率波动系数仅为0.47%,光谱稳定性优异;指向精度达到6.96μrad(x轴)和5.30μrad(y轴),显著优于自由空间传输的稳定性水平。这种高稳定性得益于光纤的波导结构与真空环境的双重保障。
性能对比:超越传统传输方式的优势
与现有技术的对比实验进一步凸显了真空空芯光子晶体光纤的显著优势:在5米传输距离下,自由空间传输效率仅为50%,且光谱因水吸收出现密集畸变;充气状态的空芯光纤传输效率约45%,难以避免吸收干扰;而实芯ZBLAN光纤则因非线性效应导致脉冲分裂及光谱红移。相比之下,真空空芯方案不仅将传输效率提升至70%以上,更实现了光谱与时间特性的无畸变传输。
应用前景与未来发展方向
该技术为中红外光的灵活应用开辟了新途径:在生物医学领域,可替代传统庞大的光束传输臂,实现微创手术的精准激光递送;在遥感领域,高稳定性的光纤传输能提升远距离探测的信噪比;在工业加工中,其灵活性将大幅缩小设备体积,降低恶劣环境下的维护成本。
研究团队表明,未来通过优化光纤设计以抑制高阶模(目前约4%能量进入LP11模式)、改进耦合效率(当前约86%),有望将传输功率提升至数十瓦级别,并支持更长距离传输。随着堆叠拉伸技术的成熟,公里级低损耗光纤的实用化已具备可行性。
此次突破不仅攻克了中红外超短脉冲传输的核心难题,更推动了光纤技术在极端环境下的应用拓展,为下一代激光系统的小型化、集成化发展奠定了重要基础。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
