下一代超精密激光加工解决方案
光的功能有多强大？下面先看看国内权威媒体对先进激光技术应用的一则新闻报道！
在纳米尺度“雕刻”精细结构
一块手掌大小的透明器皿中心，一粒细如尘埃的斑点若隐若现，当它被透镜高倍放大之后，其中隐藏的复杂结构呈现出来，这便是用光“雕刻”出来的微纳结构。通过直写式光刻技术，我们可以制造智能感知芯片、微观机械结构，周期更快、自主化程度更高。
在微米标准看清细胞形态
由一根多模光纤构成，直径仅有125微米，多模光纤内窥镜进入人体内几乎无感。然而要想将一根光纤变成高分辨的成像内窥镜，难度极大。项目组锚定技术路线，经过两年时间的实验探索，终于实现了稳定的多模光纤超分辨成像。未来，多模光纤超分辨内窥镜可以和现有内窥镜结合，找到病变组织，观察组织的细胞和亚细胞结构，对医生判断肿瘤边界和治疗效果提供有益信息。
在真空环境探测纳米粒子的悬浮力
真空环境中，一束激光捕捉到了直径约为头发丝千分之一的纳米粒子小球，并将小球“夹”在空中。拿起一个苹果，大约要花费1牛顿的力。托举一个细胞，大约需要10的负15次方牛顿的力，而极弱力装置能够测量到力的量级是一个细胞所受重力的一千万分之一以上。
上述报道您可以发现，激光加工技术已经非常普及，随着激光技术和激光应用领域的发展和需求，更高精密度的激光微纳加工技术已经应运而生。
行业关注热点：激光加工行业概念股票有:杰普特、帝尔激光、ST金运、亚威股份、逸飞激光等
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半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
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硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
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无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
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SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
