【光学前沿资讯】高效集成双微梳光源的研究突破
一、引言
在当今科技飞速发展的时代,双频梳干涉技术展现出巨大的应用潜力。然而,现有的双频梳系统在实际应用中面临诸多挑战,集成和设备小型化成为亟待解决的关键问题。

二、光学双微梳源混合集成平台
这种混合集成双微梳源由多个关键部分组成。它包括热稳定且具有高Q微谐振器的SiN光子芯片,对接耦合的半导体LD以及输出透镜光纤。通过使用不同的光子芯片设计和半导体,能够实现快速原型制作。不过,由于两个光子芯片需要独立热稳定,导致拍频的相对热漂移高达100MHz。
三、用于双微梳源的高效孤子微梳
当前,制造高Q氮化硅微谐振腔的技术存在一定局限,使用单频窄线宽激光器的外部泵浦来产生可持续的孤子微梳并非易事,且外部泵激发孤子梳的过程较为复杂。而完全集成的自注入锁定方案带来了出色的交钥匙操作,无需额外设备,不仅抑制了热效应,还保持了梳产生状态的稳定,极大地简化了梳生成过程,提高了稳定性。生成的梳具有宽带、高信噪比和高泵-梳边带功率转换效率等显著优点。
四、双微梳源的光谱特性
通过调节微谐振腔温度,可以有效地控制微梳线间距和双微梳信号。自注入锁定放宽了对微谐振器Q因子及其光谱纯度的要求,使得商业微谐振器能够应用于片上双微梳源。在半导体激光设备二极管的选择上,分布式反馈激光二极管在锁定波长可预测、两梳匹配等方面表现出色,而法布里-珀罗型则更具功率优势且价格便宜,具有实际应用前景。为了克服热漂移,提高双梳稳定性,可以考虑将两个微谐振器组合在同一个光子芯片上或使用相同微谐振器产生两个孤子梳等设计。基于自注入锁定的微梳生成设计方案有望进一步提升集成双微梳源的性能。
五、研究人员简介
相关研究人员来自特定的机构,专注于该领域的深入研究,他们的研究方向和联系方式为进一步的交流与合作提供了可能。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
