突破动态散射难题!英科学家开创光传播新路径,赋能深层成像与湍流通信
近日,英国埃克塞特大学DavidB.Phillips团队在《Nature Photonics》发表重磅研究,提出一种全新的光传播控制策略,成功实现光在动态强散射介质中的稳定传输。该方法通过识别介质中的稳定区域、规避快速波动部分,从根本上解决了传统技术难以应对的光场畸变问题,为生物成像、光通信等多领域突破提供了核心工具。

研究背景:动态散射的“拦路虎”
光在生物组织、湍流大气、水流等动态复杂介质中传播时,介质的随机运动会导致光场剧烈畸变,这一现象严重阻碍了高分辨率成像、远距离光学通信等技术的发展。传统波前整形技术依赖介质的静态特性,而实际应用中许多介质的波动速度快至毫秒级,使得现有方法难以奏效。如何让光“绕过”动态干扰、保持传输稳定,成为长期困扰学界的关键难题。
核心创新:三大策略解锁稳定传输通道
研究团队的核心突破在于发现:动态散射介质中并非所有区域都快速变化,存在大量相对稳定的“通道”。基于这一洞察,他们开发了三种高效调控方法:
无导优化:迭代抑制波动
通过计算机控制衍射光学元件,迭代调整入射光场的相位,使输出光的时间强度波动持续降低。实验显示,该方法能将波动水平抑制至0.1左右,优化后的光场会自动避开介质中的动态区域,但需约2500次迭代才能收敛。
物理伴随优化:提速两个数量级
创新采用梯度下降的物理实现方案,通过双向传输光场并进行相干时间平均,同时优化所有空间分量。仅需15次迭代即可达到稳定状态,相比无导优化效率提升近200倍,且优化后的光场分布更平滑,抗干扰能力更强。
时间平均传输矩阵特征信道:批量挖掘稳定路径
通过构建介质的时间平均传输矩阵,提取具有最大本征值的本征向量,这些向量对应着与动态区域相互作用最少的传输通道。研究发现,即使在强波动介质中,利用前100个最稳定的特征信道,也能显著提升光束聚焦的对比度和稳定性。
实验验证:从模拟到实际场景的突破
团队通过三级衍射光学元件模拟三维时变散射介质,成功验证了三种方法的有效性。在更贴近实际的弯曲多模光纤实验中,他们识别出754个特征信道,其中150个信道的波动水平显著低于随机输入场,最稳定信道的波动值仅为0.19,远优于传统方法的0.80。这一结果表明,该技术可直接应用于光纤通信等实际场景。
应用前景:跨领域的技术赋能
该研究的价值不仅局限于光学领域,其基于波动物理的核心思想可推广至微波、射频和声学等多个波传播领域。未来有望实现:
生物医学:深层活体组织的高分辨率动态成像;
通信技术:跨越湍流大气、水下环境的远距离光通信;
工业与声学:精准声束形成、微波信号抗干扰传输等。
研究负责人DavidB.Phillips教授表示,该方法无需预知介质动态区域的位置和运动规律,仅通过测量外部散射光即可实现优化,为复杂动态环境中的波传播调控提供了通用解决方案。随着技术进一步完善,有望在多个依赖波传输的关键领域引发革新。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
