飞秒锁模激光器中单梳线的精确选择和放大：苏州大学团队取得重大进展
近日，苏州大学光电科学与工程学院的徐银副教授和包华龙教授领导的研究团队在飞秒锁模激光器中单梳线的精确选择和放大方面取得了重要突破。该团队提出了一种新颖的方案，能够从飞秒锁模激光器中提取和放大单个梳线，具有高信噪比（SNR），且其频率可以在飞秒锁模激光器的整个范围内任意调谐。
一、研究背景
具有窄线宽和低相位噪声的激光源在激光雷达、相干光通信和高精度计量等领域具有重要应用。然而，飞秒锁模激光器的重复频率通常受限于米级腔长，仅限于几十或几百兆赫兹，这使得使用标准光学带通滤波器从飞秒锁模激光器中提取单个线条变得困难。
二、研究方法
该方案基于脉冲重复率倍增、光学注入锁定和受激布里渊散射的偏振拉动特性相结合实现。具体步骤如下：
1.脉冲重复率倍增：通过马赫-曾德干涉仪将飞秒锁模激光器的重复频率从191MHz倍增到1.528GHz，减少DFB锁定带宽内的梳线数量，使注入效果更加稳定。
2.光学注入锁定：将倍增后的梳线中的一条，通过调整其中心波长和功率注入锁定到DFB激光器中，DFB激光二极管作为泵浦，用于生成布里渊增益。
3.受激布里渊散射的偏振拉动特性：利用该特性，通过频率偏移单元调节梳线注入锁定的DFB激光器的频率，使目标梳线位于受激布里渊散射增益最大值处，从而实现精确选择和放大。
三、实验结果
实验中，研究人员成功将目标梳线的信噪比提高到超过70dB，且其频率可以在飞秒锁模激光器的整个范围内任意调谐。通过延迟自干涉技术测量的白频率噪声底线约为80Hz²/Hz，在3kHz积分线宽下线宽约为1100Hz。
四、应用前景
该技术在超精密计量和光谱学等多个应用中具有巨大潜力。例如，超精密宽带光谱测量技术可以实现低于10Hz的频率测量精度和对激光扫描速度的即时跟踪，测量精度比现有技术提高了两个数量级。
这项研究不仅展示了飞秒锁模激光器在高精度应用中的潜力，还为未来相关领域的技术发展提供了新的思路和方法。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
