超声振动辅助激光熔覆技术：高端制造的新趋势
在现代制造业中，提升金属零部件的性能和延长其使用寿命是永恒的追求。激光熔覆技术作为一种表面强化手段，因其能够显著改善零部件的耐磨性、抗腐蚀性和疲劳强度等性能而备受关注。然而，激光熔覆过程中产生的残余应力和应变集中问题，一直是制约其在高端装备关键部件应用的瓶颈。近期，一项创新技术——超声振动辅助激光熔覆技术，为解决这一问题提供了新的思路。
一．激光熔覆技术及其挑战
激光熔覆技术通过快速熔化和凝固零部件表面，改变表层微观组织结构，从而提升其性能。但这一过程中的剧烈加热和冷却导致了复杂的热应力场，容易产生应变集中和残余应力，影响产品的力学性能和可靠性。
二．超声振动辅助技术的研究背景
为了降低激光熔覆过程中的残余应力，研究人员开始探索基于前后处理与多技术协同的方法。超声能场作为一种外加能量场，已被证明能有效加强熔池流动、降低温度梯度，并均匀组织分布，从而影响残余应力分布。
三．数字图像相关法（DIC）技术的应用
DIC技术作为一种非接触、全场变形的光学测量方法，能够实时测量材料或结构的应变分布，适用于复杂工况下激光熔覆过程中的动态应变捕捉。本文基于DIC技术，提出了适用于激光熔覆过程熔池附近区域应变观测的散斑制作方法及质量评价指标，实现了激光熔覆过程中的应变观测。
四．超声振动辅助激光熔覆试验平台
研究人员搭建了超声振动辅助激光熔覆试验平台，对比分析了超声对应变分布的作用效果。结果表明，超声振动能显著均匀化应变集中区域并减小应变峰值，且这种作用效果随超声功率的增加而愈加显著。
五．超声振动对熔覆过程的影响
超声振动不仅影响了应变分布，还在熔池液态金属凝固过程中起到了作用。超声空化作用引起局部过冷，抑制了元素偏析，破碎了枝晶和网状析出相，使得富集元素更均匀地分布，从而减少析出相的形成并改善应力分布。
超声振动辅助激光熔覆技术的研究为控制应变分布提供了更有效的方法，有望提升构件的力学性能。随着技术的不断发展，结合原位监测技术的多技术复合激光熔覆有望与智能化技术相结合，实现实时监测和智能工艺优化，推动制造业的创新和可持续发展。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
