OptiCentric®IR红外中心偏差测量仪：红外光精准测量的不二之选
在红外光学领域，精准测量各镜片光轴相对参考轴的中心偏差至关重要。德国TRIOPTICSGmbH精心研发的OptiCentric®IR红外中心偏差测量仪，无疑是此领域的卓越之选，堪称目前世界上测量红外光学系统中各表面相对偏心最有效的仪器。
这款测量仪拥有OptiCentric®100IR和OptiCentric®300IR两种型号，全面覆盖您的需求。无论是中波红外还是长波红外光学镜片或光学系统中心偏差测量，它都能轻松应对，为您提供精准可靠的数据。
在测量精度方面，它表现出色。在可见光领域，精度可达±0.2μm或2″；在中波红外和长波红外领域，精度也能保持在±2μm。其光源配置更是精心设计，高功率LED光源以及约4.05μm和9.2μm的QCL激光器，确保测量的稳定性和准确性。
OptiCentric®IR红外中心偏差测量仪还充分考虑了不同尺寸被测镜头的需求。OptiCentric®100IR型号能容纳最大直径225mm的被测镜头，最大负载20kg；OptiCentric®300IR型号则可应对最大直径500mm的被测镜头，最大负载高达300kg。并且，两者均采用高精度气浮转台，进一步提升测量的精度和稳定性。
选择OptiCentric®IR红外中心偏差测量仪，就是选择精准、选择可靠、选择领先。
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半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
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硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
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无掩模激光直写技术研究概述
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2026-02-12
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SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
