Mach–Zehnder干涉仪及其变形的原理
Mach–Zehnder干涉仪的基本原理在于通过巧妙的光路设计，将一束光分成两束，经过不同的路径后再重新汇合，从而产生干涉现象。这一现象为我们提供了一种精确测量光的特性以及相关物理量的方法。
然而，其魅力不仅在于原始的设计，更在于不断演变出的多种变形。其中一种变形在测试斜入射反射中的平面表面方面展现出了出色的能力。通过这种变形，我们能够更加精准地分析平面表面在斜入射情况下的反射特性，为相关的光学研究和应用提供了宝贵的数据支持。
另一种变形则是Jamin干涉仪。这种干涉仪将分束器和折叠镜组合成一个元件，形成了一种独特的结构。这一设计使得该装置具备了显著的优势，它非常坚固，能够在复杂的环境中保持稳定的性能。尤其值得一提的是，当引入元件的分离、偏心或小倾斜时，参考臂和测试臂会经历几乎相同的变化。这一特性使得Jamin干涉仪对元件的机械漂移不敏感，从而大大提高了测量的准确性和可靠性。
这些变形的出现并非偶然，而是科学家们不断探索和创新的结果。它们来源于《Handbook of Optical Systems, Volume 5 Metrology of Optical Components and Systems》《光学量测 81》《Handbook of Optical Systems 3》《光学量测·目录 #光学量测》等专业著作中的深入研究和实践积累。
在当今的科学研究和技术应用中，Mach–Zehnder干涉仪及其变形发挥着越来越重要的作用。无论是在光学元件的质量检测，还是在探索新的物理现象和光学原理方面，它们都为我们打开了一扇扇通向未知世界的窗户。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
