什么是相移干涉术？相移干涉术的全面介绍
一、引言
在现代科学技术迅猛发展的背景下，测量技术的持续创新与突破已成为推动各领域进步的核心动力。相移干涉术（PSI）作为一种先进且精确的测量技术，正逐步展现其广泛的应用潜力和显著的技术价值。
二、相移干涉术的发展历程
回顾上世纪80至90年代，这一时期见证了相移干涉术的显著发展。基于相移干涉术原理的自动3D测量显微镜实现了重大技术突破，其快速且非接触式的高精度计量能力得益于精确控制并获取一系列具有特定相位变化的图像。相移的产生通常通过干涉物镜的机械运动实现，这种精准的机械控制为测量准确性提供了坚实保障。
三、干涉测量的原理
干涉仪之所以能成为测量物体表面特性的有效工具，关键在于其巧妙利用了光的波动特性。通过分离光源并使光线沿不同路径传播，再重新组合并引导至数字相机，通过测量合成光的强度，实现对被测物体表面与参考表面的细致对比和分析。
四、相移的实现方法
在相移干涉术中，条纹图的强度分布通常可用正弦函数描述。实现相移的方法多样，常见的是使用压电陶瓷PZT移动反射镜，使参考臂光程产生阶梯式变化。每种方法均有其特点和适用场景。
五、相位解包裹的重要性
在条纹分析中，相位常被限制在-π到π之间，导致不连续的相位跃变。相位解包裹过程对此问题至关重要，虽存在多种算法，但无绝对完美之选，需根据具体需求和条件灵活选用。
六、干涉仪的设计
当前技术领域中，主流干涉仪设计多参考三种经典结构之一，并在此基础上进行优化和创新。
七、相移干涉术的测量精度
相移干涉术在测量精度方面表现突出，尤其在纵向精度上，能为测量提供极高准确性。然而，横向精度受衍射限制，表现相对一般。通过详细比较不同测量技术的精度，科研人员和工程技术人员可根据实际需求选择最合适的测量方法。
八、相移干涉术的应用
在众多应用领域中，光纤连接器的质量控制尤为关键。光纤连接器的性能直接影响光信号传输的稳定性和可靠性。光纤端面干涉仪成功应用相移干涉术，精确控制光纤端面参数，显著提升光纤连接器性能，保障光通信系统的高效运行。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
