【光学资讯】突破衍射极限:实时动态远场超分辨成像技术
光学成像过程通常涉及点对点映射,其中光学系统的分辨率受限于光的衍射特性,即瑞利-阿贝物理衍射极限。光学系统的衍射极限与探测光波的波长及成像系统的孔径尺寸紧密相关。传统上,提升光学成像系统的分辨率主要依赖于增加系统孔径,然而,这种方法因加工成本与孔径尺寸的2.76次方成正比而存在技术瓶颈。合成孔径技术通过系列小孔径实现等效大孔径的分辨能力,但基于镜面拼接的光学合成孔径技术对相位误差控制要求极高,增加了系统的复杂性和稳定性要求。
傅里叶叠层显微成像技术(FPM)是一种大视场高分辨定量相位计算显微成像技术,能够利用非干涉方法同时实现相位恢复与孔径合成。莱斯大学的Holloway等将FPM技术拓展至远场,实现了对粗糙表面物体的合成孔径远场成像,将目标分辨率提升了六倍。然而,该技术在动态目标和场景的实时成像方面仍面临挑战,主要原因是远场探测中通常采用基于孔径扫描的傅里叶叠层成像技术,这降低了时间分辨率。

南京理工大学的陈钱、左超教授课题组与康涅狄格大学郑国安教授课题组联合提出了一种基于相机阵列与波长照明复用的远场合成孔径成像技术(IMSS-SAI)。该技术利用相机阵列实现了实时、高质量的动态远场超分辨成像,分辨率提升至单孔径衍射极限的四倍。相关研究成果发表在《Advanced Imaging》2024年第1期。
研究团队采用R/G/B三波长混合照明和5×5相机阵列并行采样,通过优化排布与方向调整,将探测目标定位于相机视场中心,避免了图像配准问题。通过记录不同子孔径的图像,获取不同位置的频谱信息,扩展了单个子孔径图像记录的频谱范围,从而提升了成像系统的衍射极限。
为解决子孔径图像间冗余信息不足的问题,研究人员通过R/G/B三波长相干光对目标进行照明,并建立了复用波长在频谱域中的偏移分布模型,使单个子孔径内不同波长照明目标图像的频谱信息产生交叠。结合改进的相干态多路复用傅里叶叠层算法,实现了单次曝光下的高效合成孔径探测。
实验验证表明,IMSS-SAI技术能够实现相对于子孔径图像的四倍分辨率提升,并有效缓解了目标粗糙表面引起的散斑噪声影响。此外,该技术能够在单次曝光下实现合成孔径远场探测,对动态场景及动态目标进行实时合成孔径远场成像,为远距离动态目标的高分辨成像与探测提供了新的可能性。
以上就欧光科技整理总结的“【光学资讯】突破衍射极限:实时动态远场超分辨成像技术”的相关内容,大家如果还有更多关于光学设备的疑问欢迎持续关注我们!
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
