高精度非接触式透镜中心厚度测量系统是如何工作的？
OptiSurf®镜面定位仪，作为非接触式中心厚度测量仪系统的代表，专为生产环境设计，能够精确测量成品单透镜的中心厚度，无论其经历了抛光、模压、涂层还是钻石车削等加工过程。该系统不仅适用于单透镜的测量，还能测试双合透镜，甚至是粘合在轴上的透镜，展现了其多功能性和高精度。
作为OptiSurf®镜面定位仪的补充，我们推出了LensGage测量单元。LensGage主要由两块玻璃板组成，一块位于样品下方的滑块上，另一块位于样品上方的臂上，能够在两者之间放置待测样品。使用LensGage，用户可以测量单透镜的中心厚度，而无需知晓透镜材料的折射率，这一过程得到了我们软件的无缝支持。
在操作上，LensGage通过校准测量确定顶部和底部玻璃板之间的距离，其材料具有极高的热稳定性，减少了频繁重新校准的需求。校准完成后，用户只需插入透镜并点击测量，系统即可计算并显示样品的中心厚度，测量精度达到优于1.5微米。
尽管LensGage的测量精度略低于使用材料信息的标准OptiSurf®镜面定位仪的0.5微米，但其在测量未知样品或在不需要最高精度的情况下仍具有广泛的应用价值。
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半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
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硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
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无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
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SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
