【科技前沿】南大突破！大尺寸碳化硅激光切片设备问世，助力我国半导体材料加工迈入新纪元！
碳化硅（SiC），一个听起来就很高大上的名词，它不仅是国防安全的关键技术，也是全球汽车产业和能源产业的重中之重！但是，如何将这个高科技材料加工成我们需要的？这就是我们今天要说的话题！
一直以来，碳化硅晶锭切片都面临着两大难题：一是传统多线切割技术的材料损耗率高，二是加工周期长，产率低。这就像是在做一道很难的数学题，既耗时间又容易出错。
南京大学的小伙伴们成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，一举解决了这两个问题！他们就像是找到了解题的捷径，让原本复杂的问题变得简单起来。
这个新技术到底有多厉害呢？举个例子，以前用线锯只能从20毫米的SiC晶锭上生产出30片350um的晶圆，而现在用激光切片技术可以生产出50多片！而且，由于激光切片生产的晶圆的几何特性更好，单片晶圆厚度可以减少到200 um，这就进一步增加了晶圆数量，单个20毫米SiC晶锭可以生产80多片晶圆！
大尺寸碳化硅晶锭激光切片设备只有日本能提供，而且价格昂贵且对中国禁运。但是，我们的南大团队已经完成了大尺寸原型激光切片设备的研发，实现了4-6英寸半绝缘碳化硅晶圆的切割减薄、6英寸导电型碳化硅晶锭的切片，正在进行8英寸晶锭切片验证。
未来大尺寸碳化硅激光切片设备将成为8英寸碳化硅晶锭切片的核心设备。据调研，激光切片/减薄设备国内需求超过1000台以上，目前大族激光、德龙激光等公司已经投入巨资开发相关产品，但尚未有商品化国产成熟设备销售。
南大团队的这一突破，不仅解决了碳化硅晶锭切片的难题，也为我国的半导体材料激光加工技术开辟了新的道路。让我们一起期待更多的科技成果吧！
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