激光调阻的原理及优点
一.激光调阻的原理
激光加工的原理与凸透镜会聚太阳光点燃火柴的原理基本相同。激光器发出的激光经过一系列处理,经过透镜聚焦,将能量集中在一个很小的范围内。如果被加工的材料对激光的吸收良好,则照射区域的材料也会吸收激光。激光迅速升温。根据材料性质的不同(如熔点、沸点、产生化学变化的温度),工件会发生一系列的物理或化学变化,如熔化、汽化、氧化物生成、变色等,就是激光加工的原理。

二.激光调阻的优点
1.加工模式先进,效率高
聚焦的极细激光束就像一把工具,可以一点一点地去除物体的表面材料。其先进特点是打标过程是非接触性加工,不会产生机械挤压或机械应力,因此不会损坏加工物品;由于激光焦点尺寸小,热影响区域小,加工精细,因此可以完成一些常规方法无法实现的工艺。
2.成本低、全自动、操作方便
激光加工中使用的“工具”是聚焦的光点,无需添加其他设备和材料,只要激光器能够正常工作,就可以长期连续使用。激光加工速度快、成本低,激光加工由计算机自动控制,生产过程中不需要人工干预。
3.轻松识别产品
激光标记后,由于表面材料被剥离,标记不会因恶劣环境而褪色,其信息可永久保留。激光可以在产品上打上唯一的序列号,方便产品识别和追溯。传统工艺很难模仿激光打标的独特效果,因此激光标记在防伪方面具有突出的表现。
4.符合环保要求
激光加工无毒无害,加工产品超过各国环保要求,是一种安全、清洁的加工方法。客户无需担心丝印和腐蚀工艺造成的出口限制。
5.实现库存零积压
激光加工高度灵活且易于更改,根据不同客户的订单对产品进行标记,可以有效避免同一产品的差异化生产,降低产品积压的风险。
延伸阅读:
激光调阻是利用激光对材料进行加工来改变材料电阻的技术。激光调阻主要应用于一些特殊的电子元件,如光电阻、光调制器件等。在进行激光调阻时,对材料的质量要求非常重要,因为这直接影响器件的性能和稳定性。以下是激光调阻质量要求的一些常见注意事项:
1.材料选择:用于激光调阻的材料一般需要具有良好的激光吸收性能。对于光阻器件来说,材料的光电性能、稳定性和可调谐性至关重要。常用的材料包括一些半导体材料、金属氧化物等。
2.表面质量:材料的表面质量对激光的吸收和传播有重要影响。表面的光滑度和纯净度会影响激光的能量传递和吸收效果。
3.热特性:激光调阻的过程可能会伴随局部加热。因此,还需要考虑材料的导热系数、热膨胀系数等热性能,以保证器件在激光调阻过程中不会遭受不可逆的热损伤。
4.化学稳定性:材料在激光调阻过程中需要保持化学稳定性,避免意外的化学反应或变化,这有助于确保设备的长期稳定性和性能。
5.光学性能:对于光阻器件来说,材料的光学性能是一个关键因素。这包括折射率、吸收系数等,这些特性将直接影响激光在材料中的传播和吸收。
在激光调阻之前,通常会进行严格的材料测试和选择,以确保所选材料满足特定应用的要求。此外,制造过程中的参数控制和质量检验也是保证激光调阻质量的重要步骤。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
