【前沿资讯】无引导星自适应光学技术(CAO)的原理创新、技术突破与应用前景
一、引言
自适应光学(Adaptive Optics,AO)系统作为光学成像领域的核心技术,通过实时调整光学元件以补偿像差,已广泛应用于望远镜观测、显微镜成像等场景。传统AO系统的核心依赖于“引导星”(如天体观测中的真实恒星),通过分析引导星的光信号波动实现像差校正。然而,在无标签显微镜等特殊成像场景中,引导星的缺失导致传统AO技术难以适用,成为制约相关领域发展的关键瓶颈。
针对这一技术痛点,北京师范大学与澳门大学的研究团队联合研发了相关自适应光学(Correlative Adaptive Optics,CAO)技术——一种基于对称性破缺原理的无引导星、无标记波前校正方案。该研究成果已正式发表于光学期刊领域权威期刊《APLPhotonics》(中科院1区,影响因子5.4),为自适应光学技术的场景拓展提供了全新路径。

二、CAO技术核心原理
CAO技术的创新核心在于突破了“引导星依赖”的传统框架,通过对称性破缺与偶对称热光(Even-Symmetric Thermal Light,ETL)的强度相关性实现像差校正,其关键原理可概括为三方面:
偶对称热光的生成机制:研究团队通过相干光束照射商用空间光调制器(Spatial Light Modulator,SLM),高效生成偶对称热光。与自发参量下转换产生的纠缠光子对相比,该光源具备高亮度、易获取的优势,且商用SLM的高功率耐受性与97%以上的光利用率进一步降低了技术落地门槛。
对称性破缺的反馈应用:当偶对称热光通过扭曲介质时,其对称性会以可测量的方式被破坏。研究团队将扭曲光强度相关函数的关联强度作为核心反馈指标,通过“生成偶对称热光—检测对称性破缺—迭代校正像差”的闭环流程,直接优化成像系统的失真点扩散函数,无需依赖引导星或复杂优化算法。
双模式适配特性:CAO技术兼具经典光学与量子光学应用潜力,即使在光子通量极低的极端条件下,仍能保持稳定的像差校正效果,为弱光成像等特殊场景提供了技术支撑。
三、CAO技术的关键突破与优势
相较于传统AO技术,CAO在技术性能与应用适配性上实现了多重突破:
无标记、无引导星的双重突破:首次实现无引导星条件下的无标记自适应光学成像,彻底解决了传统AO在无标签显微镜、弱光成像等场景中的适用性难题,拓展了自适应光学的应用边界。
广谱像差校正能力:在实验验证中,CAO成功消除了倾斜、散光、聚焦误差、对准误差等常见低阶像差,且在严重失真、目标物体部分遮挡的极端情况下仍保持高效校正性能,抗干扰能力显著优于传统方案。
低成本与高兼容性:依托商用SLM的成熟供应链,CAO的光源生成成本远低于纠缠光子对方案;同时,其核心光学组件与基于SLM、数字微镜装置的计算成像系统高度重叠,仅需调整辅助透镜组即可适配,兼容性极强。
四、应用前景与行业价值
CAO技术的研发与落地,对计算成像、生物医学、半导体检测等多个领域具有重要推动意义:
计算成像系统的优化升级:针对结构照明显微镜(SIM)等计算成像设备普遍存在的伪影问题,CAO提供了简单、非侵入性的像差校正策略,可有效提升成像分辨率与准确性,推动相关设备向更高精度方向发展。据行业数据显示,全球自适应光学市场规模年均复合增长率超25%,CAO技术的商业化有望抢占细分领域先机。
生物医学成像的技术革新:在无标签显微镜成像中,CAO无需对生物样本进行标记处理,可避免标记物对样本活性的影响,为活体细胞观测、动态生物过程追踪等研究提供更可靠的成像工具。
跨领域场景的拓展潜力:研究团队计划将CAO技术扩展至其他类型对称性的应用场景,并逐步纳入实际计算成像系统。未来,其应用有望覆盖量子显微镜、单像素成像、深空探测(无引导星区域观测)等多个前沿领域,形成技术辐射效应。
CAO技术通过原理创新打破了传统自适应光学的技术束缚,其无引导星、无标记、低成本的核心优势,使其在学术研究与产业应用中均具备广阔前景。后续研究将聚焦于两类方向:一是拓展对称性应用范围,进一步提升像差校正的广谱性;二是加速与实际成像系统的集成适配,推动技术从实验室走向商业化落地。
随着CAO技术的持续迭代,有望成为自适应光学领域的标志性突破,为光学成像技术的发展注入新的活力,助力相关行业实现精度与效率的双重提升。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
