碳化硅产业热度攀升:跨界主体竞逐核心赛道
在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域需求的强劲驱动下,碳化硅(SiC)凭借高功率密度、耐高压高温、低能耗等优异性能,已成为全球科技产业竞逐的核心领域。这一趋势不仅吸引传统半导体企业深耕布局,更促使光伏、汽车、白色家电等多个行业的跨界主体纷纷入局,一场围绕碳化硅的产业布局热潮正全面展开。

光伏企业:依托先天优势抢占发展先机
光伏行业在经历硅料、硅片等主要环节产品价格波动后,部分头部企业将目光投向碳化硅领域。其跨界布局的优势,源于与碳化硅产业在原料及设备方面的天然共性。
在原料层面,光伏硅片生产所需的硅粉,亦是碳化硅的核心原料之一。这一共性使通威集团、合盛硅业等光伏头部企业得以快速进入碳化硅衬底环节。通威集团旗下通威微电子仅用三年时间,便构建了从粉料合成到衬底加工的全链条自主知识产权技术体系,业务覆盖6英寸、8英寸导电型碳化硅晶体及衬底片。合盛硅业则已完整掌握碳化硅材料从原料合成、晶体生长、衬底加工到晶片外延的全产业链核心工艺技术,突破关键材料与装备的技术壁垒。据其官方信息,6英寸碳化硅衬底已实现全面量产,晶体良率达95%以上,外延良率稳定在98%以上;8英寸碳化硅衬底已启动小批量生产。
在设备层面,尽管光伏硅片与碳化硅片的生产工艺存在差异,但两者生产过程均需经历长晶、切片、研磨和抛光等环节,这为光伏设备企业提供了技术迁移的切入点。
车企:以技术掌控在新能源赛道中占据优势
新能源汽车的性能升级,使碳化硅功率器件成为车企在差异化竞争中的核心要素。为掌握核心技术以降低成本、提升产品竞争力,车企纷纷跨界布局碳化硅,构建垂直整合能力。
比亚迪是国内车企布局碳化硅的先行者,早在2018年便研发出SiCMOSFET,并率先应用于量产车型。其子公司比亚迪半导体通过垂直整合从外延生长到模块生产的全链条,于2025年推出全新一代车规级碳化硅功率芯片,电压等级高达1500V,直接助力其新能源汽车在充电效率与续航能力上实现跃升。
吉利采取“外购+自研”双轨策略,一方面与意法半导体、罗姆、积塔半导体等企业合作以保障供应体系,另一方面通过投资芯粤能半导体、晶能微电子等企业,深耕车规级碳化硅芯片及相关器件的研发。2024年,吉利突破碳化硅混合驱动集成关键技术,在减少75%以上碳化硅用量的同时提升综合效率,加速推动800V电压平台的全面普及。
理想汽车则聚焦“自研量产”,2025年2月,其自研的碳化硅功率芯片、功率模块及电驱动总成相继在苏州半导体生产基地与常州电驱动生产基地量产下线,构建起从碳化硅芯片设计、功率模块封装到电驱动总成制造的垂直整合能力。
白色家电企业:借技术迁移拓展应用领域
随着碳化硅应用场景从车规级、工业级向消费级延伸,“碳化硅+白色家电”已成为产业新趋势,家电企业纷纷跨界探索技术融合路径。
格力电器于2025年6月宣布,已成功建立碳化硅(SiC)SBD和MOS芯片的完整工艺平台,部分产品不仅实现内部批量应用,还为多家芯片设计公司提供晶圆流片制造服务,实现了从家电制造企业向半导体服务提供商的跨界突破。美的集团早在2023年便借助威灵汽车的技术经验,将车用碳化硅压缩机技术迁移至电梯应用领域,使效率从96%提升至99%,开关频率达40kHz;同时与厦门三安集成电路建立战略合作,共同成立第三代半导体联合实验室,推动碳化硅功率器件在白色家电中的应用。
海信、海尔、TCL等企业则通过合作与投资布局相关领域。海信于2024年8月接待天岳先进董事长访问,就碳化硅材料及器件技术进展、碳化硅功率器件在白色家电中的应用等展开深度交流;海尔集团旗下海尔创投参与投资了泰科天润、森国科、天域半导体等碳化硅企业;TCL于2024年7月考察晶驰机电,提出在大尺寸碳化硅外延设备个性化定制及高质量碳化硅外延片工艺制备等方面开展合作的意向。
从光伏企业的全产业链布局,到车企对核心器件的技术掌控,再到白色家电企业的应用场景拓展,碳化硅领域的跨界竞争已全面升级发展。这场融合技术突破、资源整合与场景创新的产业竞赛,不仅将推动碳化硅产业加速发展成熟,更将为新能源、智能制造等领域的持续发展注入强劲动力。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
