【光学前沿】PsiQuantum在量子计算领域取得重大突破
PsiQuantum正在量子计算领域掀起一场革命。这家初创公司致力于打造百万量子比特的光量子计算机,其在2025年2月27日于《自然》杂志上发表的论文,向世界展示了其在量子光子芯片组开发方面取得的卓越成就。

一、Omega芯片组:公用事业级量子计算的关键
PsiQuantum开发的Omega芯片组是专为公用事业级量子计算而设计的。该芯片组在GlobalFoundries位于纽约的硅光子工厂的全尺寸晶圆上设计和制造,采用格芯公司的45nm工艺,实现了与标准半导体相匹配的制造良率,这在量子计算领域具有里程碑意义。Omega芯片组包含构建百万量子比特级量子计算机所需的所有先进组件,其高性能和可大规模制造的特点,为量子计算的大规模应用奠定了坚实基础。
《自然》杂志的论文详细描述了Omega芯片组的性能。该芯片组展示了高保真度的量子比特操作,以及简单的长距离芯片间量子比特互连,这是实现量子计算规模化的关键推动因素,而其他技术在这方面仍面临挑战。具体性能指标令人瞩目:99.98%的单量子比特状态准备和测量保真度、99.5%的双光子量子干涉可见度以及99.72%的芯片间量子互连保真度。这些数据表明,PsiQuantum在量子比特操作和互连方面取得了重大突破,为构建大规模量子计算机提供了可靠的技术支持。
二、创新的量子计算机冷却解决方案
PsiQuantum还推出了一种新近验证的量子计算机冷却解决方案。传统的“枝形吊灯”稀释制冷机在量子计算机冷却中占据重要地位,但PsiQuantum摒弃了这种标志性设计,转而采用更简单、更强大、更易于制造的长方体设计。这种新冷却方法更接近数据中心服务器机架,具有更高的实用性和可扩展性。《自然》杂志的论文分享了这种新冷却方法的一些细节,PsiQuantum表示,这种方法目前已部署在英国工厂,并用于实现所描述的许多性能结果。这一创新冷却解决方案的推出,为量子计算机的冷却提供了更高效、更可靠的途径,有助于推动量子计算技术的进一步发展。
三、多芯片系统的构建与合作
PsiQuantum目前的重点是将Omega芯片跨机架连接在一起,形成越来越大规模的多芯片系统。为了实现这一目标,PsiQuantum正通过与加州帕洛阿尔托斯坦福线性加速器能源部合作以及在硅谷建立新的制造和测试设施来扩大这项工作。与斯坦福线性加速器能源部的合作将为PsiQuantum提供强大的技术支持和资源,而新的制造和测试设施将有助于加快芯片组的生产和测试进程,确保多芯片系统的高效构建。通过这些合作与设施建设,PsiQuantum正朝着构建大规模量子计算机的目标迈进。
四、量子计算中心的建设
PsiQuantum计划在2025年于澳大利亚布里斯班和美国芝加哥分别破土动工两个数据中心规模的量子计算中心。这两个量子计算中心的建设标志着PsiQuantum在量子计算领域的战略布局进一步深化。通过这两个量子计算中心,PsiQuantum计划部署第一个实用规模的百万量子比特系统,并建造该公司第一台公用事业规模的量子计算机。这将为量子计算技术的研究和应用提供强大的平台,推动量子计算技术在全球范围内的发展和应用。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
