中红外光纤激光器：技术突破与未来展望
中红外光纤激光器因其在医疗成像、军事侦察、环境监测等领域的广泛应用而备受关注。随着材料科学和制造技术的进步，中红外光纤激光器的研究与开发正迅速发展。本文将探讨该领域的当前状态、面临的挑战以及未来的发展方向。
一、技术现状
1.材料挑战：传统的硅酸盐光纤在中红外波段不透明，推动了对新型高透明玻璃材料的需求。研究人员已开发出三种主要的中红外透明玻璃：重金属氧化物、氟化物和硫化物。
2.制造工艺：制造透明玻璃的前体材料通常纯度较低，对光纤生产过程的污染控制提出了挑战。尽管如此，制造工艺如棒管法和双坩埚法的进步，已使生产对波长超过2.5微米的光足够透明的光纤成为可能。
二、研究进展
1.氟化物玻璃光纤激光器：作为目前最成熟的技术，氟化物玻璃光纤激光器在提高2.8微米和3.55微米发射系统的功率和效率方面取得了显著进展。
2.硫属玻璃光纤激光器：近期的研究突破实现了中红外激光发射，尽管功率水平较氟化物玻璃光纤低，但这一进展为未来的发展奠定了基础。
3.重金属氧化物玻璃光纤激光器：亚碲酸盐基光纤在2.72微米处获得了270纳焦的脉冲能量，展示了该材料在中红外波段的潜力。
4.晶体纤芯光纤激光器：晶体增益介质提供了更大的横截面、更高的材料均匀性等优势，为中红外光纤激光器的发展提供了新的方向。
5.纳米晶体玻璃复合材料：这种新型材料结合了晶体和玻璃的优点，为中红外光纤激光器的性能提升提供了新的可能性。
三、未来展望
1.功率提升：尽管中红外光纤激光器的输出功率已达到10W水平，但研究人员仍在探索新的方法来进一步提高功率。
2.全光纤系统：推动系统过渡到全光纤配置，以提高稳定性和实验室外的现场使用能力。
3.新材料开发：随着新材料的不断开发，预计中红外光纤激光设备的性能将得到进一步提升。
中红外光纤激光器技术已经取得了显著的进展，但仍有许多挑战需要克服。随着新材料的开发和制造技术的进步，预计未来几年将在功率提升和系统稳定性方面取得更大的突破。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
