【光学前沿】基于集成长周期光纤光栅的多阶轨道角动量模发生器
随着光纤通信技术的快速发展,模分复用技术(MDM)逐渐成为提升通信容量的关键手段之一。在众多MDM技术中,轨道角动量(OAM)模式因其独特的特性,如模式正交性和高模式容量,而受到广泛关注。近期,上海大学的刘云启教授团队在《Optics Letters》上发表了一项关于多阶轨道角动量模发生器的研究,该研究利用集成长周期光纤光栅(LPFG)技术,成功实现了多通道、多阶OAM模式的生成。

技术概述
该研究中,研究人员通过二氧化碳激光器在少模光纤的不同表面上集成多个长周期光纤光栅,每个光栅作为一个独立的模式通道,用于实现不同阶数的OAM模式转换。通过控制旋转角度,可以灵活设置集成的长周期光纤光栅数量,从而实现多通道模式转换。
实验装置与方法
实验装置包括一个超连续宽带源、两个旋转夹和一个光谱分析仪。通过扭转光纤两端,多个长周期光纤光栅从不同方向嵌入光纤中。每个光栅处于非并行状态但交错分布,减少了光栅间的相互作用,使每个光栅可以作为一个独立的模式转换通道。
实验结果
研究人员展示了通过改变扭转角来控制集成长周期光纤光栅数量的能力,实现了从LP01模式到LP11模式的多通道模式转换。通过选择合适的光栅周期,可以在1000-2100nm的波长范围内分布模式转换通道。此外,通过在集成长周期光纤光栅后增加少模光纤偏振控制器,成功产生了OAM模式。
应用前景
这种基于集成长周期光纤光栅的多阶OAM模发生器在模分复用系统、多波长涡旋激光器和轨道角动量传感领域具有广泛的应用前景。它不仅提高了光纤通信的能力,而且为实现更高效的数据传输提供了新的可能性。
刘云启教授团队的这项研究,通过创新的集成长周期光纤光栅技术,成功实现了多通道、多阶OAM模式的生成。这项技术的发展,不仅推动了光纤通信技术的进步,也为未来的高容量通信网络提供了新的思路。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
