【光学前沿】突破性进展：基于Nd:YLF双晶体结构的纳秒脉冲深红拉曼激光器
在科学探索和技术革新的前沿，激光技术以其卓越的性能和广泛的应用前景，一直是研究的热点。最近，一项由暨南大学物理与光电工程学院的陈振强教授和代世波副教授领导的团队，成功开发了一种基于Nd:YLF双晶体结构的纳秒脉冲深红拉曼激光器，该激光器在多个领域具有潜在的重要应用。
一、深红激光器的重要性
深红色激光源，其波长范围在660-760nm，因其在光合作用、光动力疗法、皮肤科以及紫外激光生成等领域的广泛应用而备受青睐。此外，纳秒脉冲深红辐射源为光声成像、受激发射损耗显微镜、雷达探测和光学泵浦碱金属蒸汽激光器等高端应用提供了新的能力。
二、技术突破
该研究团队通过在极界相匹配的三硼酸锂晶体中，利用主动调Q的Nd:YLF双激光晶体基KGW拉曼激光器的腔内二次谐波产生，实现了一种高功率可调谐、可扩展的纳秒脉冲深红激光器。通过精细调节三硼酸锂晶体的相位匹配角并仔细重新调整谐振腔，将1461nm和1490nm的第一斯托克斯场转换为731nm和745nm的深红色发射线。
三、性能参数
在83W泵浦功率和最佳脉冲重复频率4kHz下，该深红色激光系统实现了最大平均输出功率5.2W和7.6W，对应的光电转换效率接近6.3%和9.2%。此外，获得了6.7ns和5.5ns的脉冲宽度和高达190kW和350kW的峰值功率，光束质量接近衍射极限，M²≈1.5。
四、实验装置
实验装置包括一个波长锁定的窄带光纤耦合激光二极管作为泵浦源，以及一系列精心设计的光学元件，包括聚焦透镜、偏振分束器、半波片和声光调制器。通过调整KGW晶体的相位匹配角，可以获得不同的拉曼位移，从而产生所需的深红色激光。
五、应用前景
这项研究的成功，不仅在技术上实现了重大突破，而且在工业应用中具有广泛的应用前景。这种新型的深红激光器，以其高功率、高效率和优异的光束质量，有望成为调Q的翠绿宝石激光器的有力替代品，特别是在测高和植被监测等领域。
暨南大学的研究团队通过创新的设计和精心的实验，成功开发了一种新型的纳秒脉冲深红拉曼激光器。这项工作不仅展示了深红激光器在多个领域的应用潜力，也为未来的激光加工技术研究提供了新的方向。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
