【光学前沿】3.1µm线性腔高功率空心光纤气体激光器取得突破与创新
在激光技术的不断演进中,中红外空心光纤气体激光器基于气体分子粒子数反转机制近年来取得了显著发展。而如今,一项令人瞩目的研究成果为这一领域带来了新的突破。

一、研究成果
1.连续波激光器
研究团队成功实现了3.1µm高功率连续波激光器。在3mbar乙炔气压力和26W有效泵浦功率下,输出功率达8.23W,斜率效率为31.8%。其光束质量优异,Mₓ²=1.18和Mᵧ²=1.15。与此前指标相比,功率高出三个数量级以上,斜率效率提高四倍,这无疑是一项重大的飞跃。
2.自调Q脉冲激光器
在50毫巴乙炔气压和11.7瓦有效泵浦功率下,实现了输出功率为1.98瓦的自调Q脉冲。脉冲重复率为4.59兆赫,脉冲宽度为45纳秒,峰值功率为9.58瓦。
二、深入的研究背景
大多中红外空心光纤气体激光器采用单程无腔结构,在此基础上,本次研究人员创新性地使用线性腔空心光纤气体激光器进行深入探索。
三、精密的实验装置
1.泵浦源
采用自制的30W单频光纤激光器,波长为1.535µm,最大输出功率为32W。中心波长可在1534.71-1535.44nm之间调节,调谐精度高达1pm,测量的线宽小于100MHz。
2.气室
选用芯径为120µm的8管嵌套空心反谐振光纤,两端密封在气室内。0°空心光纤端面压在输入和输出窗口上,输入和输出窗口分别涂有二向色镜和未涂层的氟化钙窗口。
3.其他
输出端放置中红外带通滤光片,乙炔气体以相反方向引入以减轻热效应。
四、独特的工作原理
1.能级跃迁
当乙炔分子P(17)吸收线被激发时,可从基态旋转态到振动态旋转态,生成两条中红外激光发射线。分别指ν₁+ν₃的J=16旋转状态到ν₁的J=15和J=17旋转状态。P(17)发射线强度随气压增加而增强,R(15)线强度降低,在50毫巴气压下R(15)线被完全抑制。
2.压力影响
嵌套空心反谐振光纤内最佳气体压力为3mbar。低于此压力,气体分子无法吸收足够泵浦激光提供足够增益;气压增加会提高泵浦激光吸收率,但过高气压会使激光功率降低。
3.腔振荡验证
3.1µm连续波激光器频谱呈现周期性趋势,间隔对应空心光纤腔纵向模式间距,表明有典型腔振荡特征,且相对强度噪音受泵浦功率影响。
4.自调Q脉冲产生原因
自调Q脉冲的产生来自气体的受激布里渊散射效应,其谐波频率有限归因于气体介质的有限增益带宽。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
