突破！全自由度时空光调制器的创新研究
对光场的全面复杂控制一直是一个重要且具有挑战性的目标。近日，Christopher L. Panuski等人的研究为实现这一目标带来了新的突破，他们通过可编程光子晶体腔阵列的四个关键进展，成功解决了在光场空间和时间区域内控制所有自由度的难题。
传统的基于液晶或微镜的空间光调制器存在着有限的调制带宽和像素密度，这严重阻碍了对光场的完全控制。而此次研究提出的新的谐振空间光调制器架构，为克服这些限制提供了创新性的解决方案。
研究人员采用了反向设计的谐振像素，通过巧妙修改孔配置，使亚波长、二维光子晶体腔的高品质因子模式能够实现理想孔径的功能，打破了传统的耦合品质因子权衡，从而在空间带宽限制下实现了高性能的光束成形。
他们开发了全晶圆深紫外光刻工艺，成功制造出铸造厂制造的高精度微腔阵列，将卓越的单器件性能扩展到大型腔体阵列，创造出高品质因子晶格。
基于激光辅助热氧化开发的全息修剪技术，是自动化、低损耗且具有皮米精度的修整程序，为使用高品质因子谐振器的可扩展集成光子学开辟了道路。
通过全光空间光调制，将空间和时间上的可见泵浦脉冲分别限制在硅自由载流子扩散长度和寿命内，使多模可编程光学器件接近时空控制的基本极限，成功验证了窄带光场近乎完全的时空控制。
这项研究成果由来自美国麻省理工学院电气工程与计算机科学系的Christopher L. Panuski和Dirk Englund共同完成。欧光科技相信这一突破将为未来光场控制的相关应用带来更多的可能性和创新发展。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中，抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节，其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率，直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度，系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点，为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析：原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中，硅晶圆切割是芯片成型的关键工序，其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级，传统切割方式的弊端逐渐显现，激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发，深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺，解析光斑、焦点的精度控制逻辑，并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略，系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术，摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖，凭借直接写入的核心特性，在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势，成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面，对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代：封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中，碳化硅（SiC）凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势，成为推动功率半导体升级的关键方向，其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率，为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时，行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节，转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高，芯片本身已具备承受更高应力的能力，而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显，高温与快速功率循环叠加的工况下，焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素，封装技术的发展水平，正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
