激光诱导击穿光谱技术是什么?
一.激光诱导击穿光谱技术(LIBS)简介
激光诱导击穿光谱技术(Laser Induced Breakdown Spectroscopy),简称LIBS,由美国Los Alamos国家实验室开发,David Cremers研究小组于1962年提出并实施的。自从该小组成员Brech于1962年首次提出利用红宝石脉塞诱导等离子体的光谱化学方法以来,激光诱导击穿光谱技术得到了广泛的应用于许多领域,例如钢成分的在线分析和宇宙探索、环境和废物监测、文化遗产鉴定、工业过程控制、医学检测、地球化学分析以及NASA的火星探测计划CHEMCAM等,并开发了许多基于LIPS技术的小型化在线检测系统。

二.激光诱导击穿光谱技术发展概况
自1960年世界上第一台红宝石激光器问世以来,两年后Brech和Cross在固体样品表面实现了激光诱导等离子体,开启了LIBS技术之旅。 1963年,调Q激光器的发明极大地推动了LIBS技术的发展。这种激光器的单个短脉冲具有极高的功率密度,足以产生光谱分析所需的激光等离子体。因此,调Q激光器的发明被称为LIBS技术诞生的标志。1965年,Zel'dovich和Raizer将LIBS技术的应用扩展到气体样品。20世纪70 年代初,Jarrell-Ash和Carl Zeiss建造了世界上第一台用于工业应用的LIBS设备。需要注意的是,在该LIBS设备中,使用短脉冲激光烧蚀样品,然后使用电弧激发样品。美国洛斯阿拉莫斯国家实验室(LANL)一直致力于LIBS分析技术的机理研究和应用,并于1987年应用于乏燃料后处理过程中的铀浓度分析。20世纪80年代,LIBS被应用于液体样品以及土壤中金属和污染物的分析。自20世纪90年代初以来,德国卡尔斯鲁厄核中心一直致力于将LIBS应用于高放射性废液玻璃凝固过程的控制分析,并取得了巨大成功。然后模拟了高放射性液体废玻璃凝固体中27种元素的实时行为和定量分析。意大利国家原子与分子物理研究所的A.CIUCCI和M.CORSI提出了不需要“校准曲线”的LIPS定量分析技术——CF-LIBS,进一步发展了LIBS技术在定量分析中的应用。 S.Palanco和J.J.Laserna采用多元线性回归方法对材料成分含量进行定量分析,消除了基体效应的影响,获得了良好的结果。
三.激光诱导击穿光谱技术的基本原理
脉冲激光束经透镜会聚后照射在固体靶材表面。激光传输到目标的能量大于热扩散和热辐射造成的能量损失,能量集中在目标表面。当能量密度超过靶材的电离阈值时,靶材表面即可形成等离子体,表现为强烈的火花并伴有噪声。激光诱导等离子体的温度非常高,通常在10,000K以上,等离子体包含大量受激原子、单重和多重电离离子以及自由电子。处于激发态的原子和离子从高能态跃迁到低能态,它发射特定波长的光辐射,利用高灵敏度光谱仪对光辐射进行检测分析,以获得被测样品的成分、含量等信息。通常聚焦后的激光功率密度达到GW/cm2级别,现场物质蒸发、汽化、原子化然后电离,形成高温、高压、高电子密度的等离子体。
四. 激光诱导击穿光谱仪实验装置
激光诱导击穿光谱实验装置系统主要由激光器、真空室、光谱仪和PC机组成。
1.激光器
激光诱导击穿光谱技术是激光发明后慢慢发展起来的一项测试技术。作为激光诱导击穿光谱不可或缺的一部分,激光器自发明以来的几十年里得到了长足的发展。目前激光诱导击穿光谱技术使用的激光器主要有四种类型。
红宝石激光器、钇铝石榴石激光器、气体激光器、准分子激光器。这些激光器一般可提供1000mJ左右的脉冲能量,瞬时激光功率可达1-200MW。如果使用聚焦镜将激光聚焦到样品上,产生的能量足以直接汽化固体产生等离子体。
在激光诱导击穿光谱技术装置系统中,最常用的激光器是脉冲调Q钇铝石榴石激光器。该激光器产生的脉冲宽度大约在6-15ns之间,可以满足激光诱导击穿光谱系统的激光能量需求。而且,钇铝石榴石激光器易于小型化,有利于激光诱导击穿光谱系统的便利性。
2.光谱仪
除了激光器之外,光谱仪作为检测和采集最终光谱的装置,也是激光诱导击穿光谱技术装置体系中的另一重要设备。光谱仪是一种用于测量光的波长、能量和其他特性的仪器。它一般采用棱镜或衍射光栅和光电倍增管。它是按带面积划分的。一般有红外线、可见光、紫外线、微波、X射线光谱仪等不同波段。光谱仪;根据光谱元件不同,可分为干涉光谱仪、棱镜光谱仪和光栅光谱仪等;按检测方法分,有肉眼直接观察的分光镜、用感光胶片记录的分光仪、光电或热电分光仪。用于成分检测光谱等的分光光度计。在棱镜或衍射光栅的作用下,一束无法区分的不同波长的光,由于不同波长的折射率的差异,在空间位置上分散成不同波长的光。使用光电倍增管或CCD等设备,可以检测各种波长的光强度。
3.真空室
真空室内有两个石英窗口,一个石英窗口是激光入射窗口,另一个是光谱仪收集等离子体特征谱线的窗口。真空室由真空室和机械泵、分子泵串联组成,可抽气至0.0001Pa。
根据实验的需要,将样品暴露在大气中或置于真空室中。激光器发出的激光束经聚光镜I聚焦后聚焦在样品上。激光仪器以45°角入射到样品上,聚焦的激光束在样品表面激发等离子体。等离子体辐射出的特征光谱经聚光镜II聚焦后通过光纤发送至光谱仪。然后通过光谱软件在PC上获取和分析光谱数据。
延伸阅读:
一.激光诱导击穿光谱的优点
1.快速定性定量分析:激光诱导击穿光谱可以快速定性定量分析化合物成分,而不受多种复杂因素的影响。可在短时间内快速大量检测,有效提高检测效率。
2.灵敏度高:激光诱导击穿光谱可以检测痕量化合物,灵敏度高,可以达到ppm级检测。
3.非选择性:激光诱导击穿光谱是非选择性的,可以检测多种化合物。
4.可用于多种样品:激光诱导击穿光谱可用于多种样品的检测,包括固体、液体、气体等。
二.激光诱导击穿光谱的缺点
1.样品性质的影响:激光诱导击穿光谱的灵敏度会受到样品性质的影响。对于不同的样品,检测灵敏度可能差别很大。 。
2.设备成本高:激光诱导击穿光谱需要高成本的设备,如激光发射器和光谱仪,因此其成本非常高。
3.复杂性:激光诱导击穿光谱需要很强的技术水平和操作经验。运行过程中易受环境因素干扰,需要专业技术人员操作。
综上所述,激光诱导击穿光谱具有速度快、灵敏度高、非选择性等优点,但也存在灵敏度受样品性质影响、设备成本高等缺点。在实际应用中,需要根据具体需求和情况综合考虑,选择合适的检测方法。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
