了解光纤中的波长850nm、1310nm和1550nm
光是由它的波长来定义,在光纤通信中,使用的光是在红外区域中的光,此处光的波长大于可见光。 在光纤通信中,典型的波长是800到1600nm,其中最常用的波长是850nm、1310nm和1550nm。


在选择传输波长时,主要综合考虑光纤损耗和散射。目的是通过向最远的距离、以最小的光纤损耗来传输最多的数据。在传输中信号强度的损耗就是衰减。衰减度与波形的长度有关,波形越长,衰减越小。光纤中使用的光在850、1310、1550nm处的波长较长,故此光纤的衰减较小,这也导致较少的光纤损耗。并且这三个波长几乎具有零吸收,最为适合作为可用光源在光纤中传输。


在光纤通信中,光纤有单模、多模之分。850nm波长区通常为多模光纤通信方式,1550nm为单模,1310nm有单模和多模两种。参照ITU-T, 1310nm的衰减是建议在≤0.4dB/km,1550nm的衰减是≤0.3dB/km。而850nm的损耗为2.5dB/km。光纤损耗一般是随波长加长而减小,围绕C波段(1525-1565nm)的1550 nm中心波长通常被称为零损耗窗,这意味着石英纤维在该波长下的衰减最小。
延伸阅读:光纤截止波长计算公式为:λc/2πa/V(n1^2-n2^2)^1/2。据相关公开信息显示得知,单模光纤中只传输基模,光纤的截止波长入。是光波第一高阶模LP11截止的波长。理论截止波长的计算公式为:λc/2πa/V(n1^2-n2^2)^1/2。
-
半导体抛光设备自动化应用及工艺质量管控要点探析
在半导体器件规模化量产进程中,抛光工艺作为保障晶圆加工精度与表面质量的核心环节,其设备自动化水平、工艺参数调控能力、检测体系完善度及异常处置效率,直接决定生产效率、工艺稳定性与产品良率。本文从抛光设备自动化配置要求、核心工艺参数调控、关键检测指标界定及常见工艺异常处理四个维度,系统阐述半导体抛光工艺的质量管控核心要点,为半导体抛光制程的标准化、精细化实施提供参考。
2026-02-12
-
硅晶圆激光切割核心技术深度解析:原理、工艺与质量把控
在半导体制造产业链中,硅晶圆切割是芯片成型的关键工序,其加工精度与效率直接影响芯片良品率和产业发展节奏。随着微电子器件向微型化、薄型化升级,传统切割方式的弊端逐渐显现,激光切割凭借高精度、低损伤的技术优势成为行业主流。本文从激光切割系统的硬件构成出发,深入拆解隐形切割与消融切割两大核心工艺,解析光斑、焦点的精度控制逻辑,并探讨切割质量的评价维度与效率平衡策略,系统梳理硅晶圆激光切割的核心技术体系
2026-02-12
-
无掩模激光直写技术研究概述
无掩模激光直写技术作为微纳加工领域的先进光刻技术,摒弃了传统光刻工艺对掩模版的依赖,凭借直接写入的核心特性,在复杂微纳结构制备、高精度图案加工中展现出独特优势,成为微纳加工领域的重要技术方向。本文从工作原理与流程、技术特性、现存挑战、分辨率与对准参数、核心设备及厂务动力配套要求等方面,对该技术进行全面梳理与阐述。
2026-02-12
-
SiC功率器件的高温时代:封装成为行业发展核心瓶颈
在半导体功率器件技术迭代进程中,碳化硅(SiC)凭借高温工作、高电流密度、高频开关的核心优势,成为推动功率半导体升级的关键方向,其普及大幅提升了器件的功率密度与工作效率,为功率半导体行业发展带来全新机遇。但与此同时,行业发展的核心瓶颈正悄然从芯片设计与制造环节,转移至封装层面。当SiC将功率器件的工作温度与功率密度不断推高,芯片本身已具备承受更高应力的能力,而封装环节的材料适配、热路径设计等问题却日益凸显,高温与快速功率循环叠加的工况下,焊料与热路径成为决定SiC功率模块寿命的核心因素,封装技术的发展水平,正成为制约SiC功率器件产业化落地与长期可靠应用的关键。
2026-02-12
